首页 > 电容 > 薄膜电容 > 贴片薄膜电容 > PEN薄膜电容 > F117YR683M400Y

F117YR683M400Y

参数	值
产品	PEN薄膜电容
型号编码	F117YR683M400Y
说明	PEN薄膜电容 68nF ±20% 400V 5045 6.5mm 12.7mm
品牌	KEMET(基美)
现货	1339 [库存更新时间：2024-05-14]
容值	68nF
偏差	±20%
电压	400V
封装/外壳	5045

新产品研发持续进行中，此间可能未展示全面，如果其他需求请联系我们！

联系方式

您可能用得上的型号

径向	F601KK563M400L	PEN薄膜电容	F117YR473M400A
径向	F601KG273M400C	PEN薄膜电容	F117YR333M1K0Y
径向	F601KG223M400R	PEN薄膜电容	F117YR224K160V
径向	F601KG183M400C	PEN薄膜电容	F117YR154M160A
径向	F601KK823M400Q	径向	F426AK822J1K0C
径向	F601KG393M400Q	径向	F426AG683J250L
径向	F601KG333M400C	SMD聚合物	T541X337M016BH6720
PPS薄膜电容	F125YR683G400V	径向	F411JR682R400C
PEN薄膜电容	F117ZS684M160A	径向	F411JR682K250L
PEN薄膜电容	F117ZS684K063A	径向	F411JR682J100L
PEN薄膜电容	F117ZS474M160V	径向	F411JR682F400Q
PEN薄膜电容	F117ZS473M1K0V	固定电感	L0805C4R7MPWST
PEN薄膜电容	F117ZS334K160V	径向	F411JR472R400Q
PEN薄膜电容	F117ZS154M400A	高频电感	L0603C22NJRMST
PEN薄膜电容	F117ZS104M630V	径向	F411JR472K250R
PEN薄膜电容	F117YR474K063Y	高频电感	L0603C15NJRMST
PEN薄膜电容	F117YR334K100A	径向	F411JR472G630C
PEN薄膜电容	F117YR224M160Y	X1/Y2安全电容	C987U103MYVDBAWL35
PEN薄膜电容	F117YR223K1K0V	径向	F411JR472F400C
PEN薄膜电容	F117YR104M250V	X1/Y2安全电容	C901U100JZSDAAWL20
径向	F601KK473M400R	SMD聚合物	T541X337M016BH6710
径向	F211KM683M400R	径向	F411JR332G630Q
径向	F601KE153M400C	SMD聚合物	T541X337M016AH6710
径向	F211KK333M400L	径向	F411JR223J063Q
径向	F601KK563M400Q	径向	F411JR203K063C
径向	F601KK823M400C	SMD聚合物	T541X337M016AH6720
径向	F601KK473M400C	径向	F411JR153R063C
径向	F601KG273M400K	径向	F411JR103R100R
径向	F601KK563M400R	径向	F411JR103F100Q
径向	F601KK473M400K	径向	F411JR102G1K0L