产品
| 产品型号 | 电压(V) | 推荐应用 |
Rdson (mΩ)Typ |
Rdson (mΩ) Max |
ID(A) | Qg(nC) | 封装 | 附加功能 |
| CGL65R070B | 650 | 基站、服务器 | 55 | 70 | 23 | 6.5 | PQFN | - |
| CGK65R070C | 650 | 基站、服务器 | 55 | 70 | 23 | 6.6 | PQFN | GP |
| CGL65R100B | 650 | 家电 | 85 | 100 | 19 | 4.1 | PQFN | - |
| CGL65R120B | 650 | PD快充、家电 | 100 | 120 | 17 | 3.5 | PQFN | - |
| CGL65R120C | 650 | PD快充、家电 | 100 | 120 | 17 | 3.6 | PQFN | GP |
| CGK65R120C | 650 | PD快充、家电 | 100 | 120 | 17 | 3.6 | PQFN | GP |
| CGL65R190B | 650 | PD快充、家电 | 135 | 150 | 15 | 2.6 | PQFN | - |
| CGL65R150B | 650 | PD快充 | 170 | 190 | 13 | 2.0 | PQFN | - |
| CGK65R190C | 650 | PD快充 | 170 | 190 | 13 | 2.2 | PQFN | GP |
| CGL65R190C | 650 | PD快充 | 170 | 190 | 13 | 2.2 | PQFN | GP |
| CGL65R190E | 650 | PD快充 | 170 | 190 | 13 | 2.0 | PQFN | GD |
| CGL65R250B | 650 | PD快充 | 220 | 250 | 12 | 1.7 | PQFN | - |
氮化镓场效应晶体管（GalliumNitrideField-effectTransistor）是一类以氮化镓以及铝氮化镓为基础材料的场效应晶体管。由于氮化镓材料具有好的散热性能、高的击穿电场、高的饱和速度，氮化镓场效应晶体管在大功率高频能量转换和高频微波通讯等方面有着远大的应用前景。目前，以氮化镓制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。
与其同等的硅场效应晶体管相比，氮化镓场效应晶体管具有栅极电容较低、栅极驱动电压较低和额定电压能力较高等优势。
■支持65 W以上超高速充电
■体积减小50%，更便携
■单个快充适配手机、Pad、电脑等多种终端。
能耗降低1/3，减小发热
■适配6.78 MHz新标准，实现非接触式充电
■输出功率近百瓦，无线快充
■可支持多部设备同时充电，实现无线办公桌、无线餐桌
数据中心
■减少30-70%的电源体积和能耗，增加5-10%空间利用率
■提高数据中心的总能效1.5-3%，年节省电力开支10亿美元
■基站包络电源：GaN高速电源可实现输出电压跟随基带信号，达到全工况最优能效。
■航空：GaN材料可耐300 oC高温，可用于航空发动机应用
■航天：GaN抗辐照能力强，可用于卫星等航天应用，提升系统可靠性
■逆变器体积减小30%以上，实现光伏系统紧凑化
■逆变器能耗降低一半，提升光伏发电整体效率
■逆变器发热更小，寿命更长
■LED/OLED电视：匹配电视屏幕厚度，提供超薄电源
■其他智能家电：提供体积更小，效率更高的电源
■车载电源：适配48 V总线，服务各智能车载系统，减小电源体积和成本
■激光雷达：GaN驱动提升100倍扫描速度，实现高分辨率激光雷达，帮助智能驾驶
