产品 | 型号 | 参数 |
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PEN薄膜电容 | F117ZS684M160A | 容值:680nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS684K063A | 容值:680nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS474M160V | 容值:470nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS473M1K0V | 容值:47nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS334K160V | 容值:330nF 偏差:±10% 电压:160V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS154M400A | 容值:150nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS104M630V | 容值:100nF 偏差:±20% 电压:630V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117YR474K063Y | 容值:470nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR334K100A | 容值:330nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR224M160Y | 容值:220nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR223K1K0V | 容值:22nF 偏差:±10% 电压:1KV 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR104M250V | 容值:100nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117ZS684M063A | 容值:680nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS683M1K0A | 容值:68nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS474K250V | 容值:470nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS334M250V | 容值:330nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS224M250V | 容值:220nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS105M100A | 容值:1uF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS104K400A | 容值:100nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117YR473M400Y | 容值:47nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR333M400A | 容值:33nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR224K160Y | 容值:220nF 偏差:±10% 电压:160V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR154M160V | 容值:150nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117WP683M063V | 容值:68nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP682M630A | 容值:6.8nF 偏差:±20% 电压:630V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP682M063Y | 容值:6.8nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP682K160Y | 容值:6.8nF 偏差:±10% 电压:160V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP473M100Y | 容值:47nF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP334M063Y | 容值:330nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP333M063Y | 容值:33nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP273M400V | 容值:27nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP273K400V | 容值:27nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP224M063V | 容值:220nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP223M160V | 容值:22nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP223K250A | 容值:22nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP154M063A | 容值:150nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP153M250A | 容值:15nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP153K400V | 容值:15nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP153K063A | 容值:15nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP104K100A | 容值:100nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP103M1K0A | 容值:10nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP103K1K0A | 容值:10nF 偏差:±10% 电压:1KV 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117ST473K100A | 容值:47nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:2824 |
PEN薄膜电容 | F117SP683M063V | 容值:68nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:2824 |
PEN薄膜电容 | F117SP223M160V | 容值:22nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:2824 |
PEN薄膜电容 | F117SL472K400V | 容值:4.7nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:2824 |
PEN薄膜电容 | F117SL222M1K0A | 容值:2.2nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:2824 |
PEN薄膜电容 | F117SL103M160V | 容值:10nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:2824 |
PEN薄膜电容 | F115ZS684K250Y | 容值:680nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS564J250V | 容值:560nF 偏差:±5% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS474J250Y | 容值:470nF 偏差:±5% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS394K250A | 容值:390nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS334J400A | 容值:330nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS225K063Y | 容值:2.2uF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS185K100A | 容值:1.8uF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS184J400A | 容值:180nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS125K100V | 容值:1.2uF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115ZS124J400V | 容值:120nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F115YR823J400Y | 容值:82nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115YR564K100V | 容值:560nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115YR563J400A | 容值:56nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115YR394J100V | 容值:390nF 偏差:±5% 电压:100V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115YR333K630A | 容值:33nF 偏差:±10% 电压:630V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115YR274K250V | 容值:270nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115YR185K050Y | 容值:1.8uF 偏差:±10% 电压:50V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115YR155K050Y | 容值:1.5uF 偏差:±10% 电压:50V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115YR105K063Y | 容值:1uF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F115WP824K050V | 容值:820nF 偏差:±10% 电压:50V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP823K063V | 容值:82nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP823J050V | 容值:82nF 偏差:±5% 电压:50V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP683K250V | 容值:68nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP683J100V | 容值:68nF 偏差:±5% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP564J063V | 容值:560nF 偏差:±5% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP563K050V | 容值:56nF 偏差:±10% 电压:50V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP474K063A | 容值:470nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP473K100V | 容值:47nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP473J100V | 容值:47nF 偏差:±5% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP394J063V | 容值:390nF 偏差:±5% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F115WP393K063V | 容值:39nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117ZS684M063V | 容值:680nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS683M1K0V | 容值:68nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS474K250Y | 容值:470nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS334M250Y | 容值:330nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS224M250Y | 容值:220nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS105M100V | 容值:1uF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS104K400Y | 容值:100nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117YR473M630A | 容值:47nF 偏差:±20% 电压:630V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR333M400V | 容值:33nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR224M100A | 容值:220nF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117YR154M160Y | 容值:150nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:5045 |
PEN薄膜电容 | F117WP683M250Y | 容值:68nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117WP683K160V | 容值:68nF 偏差:±10% 电压:160V 封装/外壳:4036 |
PEN薄膜电容 | F117ZS684M100V | 容值:680nF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS683M630V | 容值:68nF 偏差:±20% 电压:630V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS474M100Y | 容值:470nF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS473K1K0Y | 容值:47nF 偏差:±10% 电压:1KV 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS224M400Y | 容值:220nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS154K400V | 容值:150nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117ZS104M400Y | 容值:100nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
PEN薄膜电容 | F117YR474K063A | 容值:470nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:5045 |
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