| PEN薄膜电容 |
F117ZS684M160A |
容值:680nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS684K063A |
容值:680nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS474M160V |
容值:470nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS473M1K0V |
容值:47nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS334K160V |
容值:330nF 偏差:±10% 电压:160V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS154M400A |
容值:150nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS104M630V |
容值:100nF 偏差:±20% 电压:630V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR474K063Y |
容值:470nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR334K100A |
容值:330nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR224M160Y |
容值:220nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR223K1K0V |
容值:22nF 偏差:±10% 电压:1KV 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR104M250V |
容值:100nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS684M063A |
容值:680nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS683M1K0A |
容值:68nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS474K250V |
容值:470nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS334M250V |
容值:330nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS224M250V |
容值:220nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS105M100A |
容值:1uF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS104K400A |
容值:100nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR473M400Y |
容值:47nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR333M400A |
容值:33nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR224K160Y |
容值:220nF 偏差:±10% 电压:160V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR154M160V |
容值:150nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP683M063V |
容值:68nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP682M630A |
容值:6.8nF 偏差:±20% 电压:630V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP682M063Y |
容值:6.8nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP682K160Y |
容值:6.8nF 偏差:±10% 电压:160V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP473M100Y |
容值:47nF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP334M063Y |
容值:330nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP333M063Y |
容值:33nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP273M400V |
容值:27nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP273K400V |
容值:27nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP224M063V |
容值:220nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP223M160V |
容值:22nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP223K250A |
容值:22nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP154M063A |
容值:150nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP153M250A |
容值:15nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP153K400V |
容值:15nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP153K063A |
容值:15nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP104K100A |
容值:100nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP103M1K0A |
容值:10nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP103K1K0A |
容值:10nF 偏差:±10% 电压:1KV 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117ST473K100A |
容值:47nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:2824 |
| PEN薄膜电容 |
F117SP683M063V |
容值:68nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:2824 |
| PEN薄膜电容 |
F117SP223M160V |
容值:22nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:2824 |
| PEN薄膜电容 |
F117SL472K400V |
容值:4.7nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:2824 |
| PEN薄膜电容 |
F117SL222M1K0A |
容值:2.2nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:2824 |
| PEN薄膜电容 |
F117SL103M160V |
容值:10nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:2824 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS684K250Y |
容值:680nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS564J250V |
容值:560nF 偏差:±5% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS474J250Y |
容值:470nF 偏差:±5% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS394K250A |
容值:390nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS334J400A |
容值:330nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS225K063Y |
容值:2.2uF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS185K100A |
容值:1.8uF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS184J400A |
容值:180nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS125K100V |
容值:1.2uF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115ZS124J400V |
容值:120nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR823J400Y |
容值:82nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR564K100V |
容值:560nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR563J400A |
容值:56nF 偏差:±5% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR394J100V |
容值:390nF 偏差:±5% 电压:100V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR333K630A |
容值:33nF 偏差:±10% 电压:630V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR274K250V |
容值:270nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR185K050Y |
容值:1.8uF 偏差:±10% 电压:50V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR155K050Y |
容值:1.5uF 偏差:±10% 电压:50V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115YR105K063Y |
容值:1uF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP824K050V |
容值:820nF 偏差:±10% 电压:50V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP823K063V |
容值:82nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP823J050V |
容值:82nF 偏差:±5% 电压:50V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP683K250V |
容值:68nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP683J100V |
容值:68nF 偏差:±5% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP564J063V |
容值:560nF 偏差:±5% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP563K050V |
容值:56nF 偏差:±10% 电压:50V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP474K063A |
容值:470nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP473K100V |
容值:47nF 偏差:±10% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP473J100V |
容值:47nF 偏差:±5% 电压:100V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP394J063V |
容值:390nF 偏差:±5% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F115WP393K063V |
容值:39nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS684M063V |
容值:680nF 偏差:±20% 电压:63V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS683M1K0V |
容值:68nF 偏差:±20% 电压:1KV 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS474K250Y |
容值:470nF 偏差:±10% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS334M250Y |
容值:330nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS224M250Y |
容值:220nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS105M100V |
容值:1uF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS104K400Y |
容值:100nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR473M630A |
容值:47nF 偏差:±20% 电压:630V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR333M400V |
容值:33nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR224M100A |
容值:220nF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR154M160Y |
容值:150nF 偏差:±20% 电压:160V 封装/外壳:5045 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP683M250Y |
容值:68nF 偏差:±20% 电压:250V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117WP683K160V |
容值:68nF 偏差:±10% 电压:160V 封装/外壳:4036 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS684M100V |
容值:680nF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS683M630V |
容值:68nF 偏差:±20% 电压:630V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS474M100Y |
容值:470nF 偏差:±20% 电压:100V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS473K1K0Y |
容值:47nF 偏差:±10% 电压:1KV 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS224M400Y |
容值:220nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS154K400V |
容值:150nF 偏差:±10% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117ZS104M400Y |
容值:100nF 偏差:±20% 电压:400V 封装/外壳:6560 |
| PEN薄膜电容 |
F117YR474K063A |
容值:470nF 偏差:±10% 电压:63V 封装/外壳:5045 |
