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薄膜精密电阻采用先进的溅射技术，国巨薄膜芯片电阻提供高精密度，高稳定性，±0.1％的窄公差和±25ppm/℃的低TCR。最小的尺寸为0201，最低TCR为±5ppm/℃

1206大功率薄膜贴片电阻器 - ARP 系列文件下载降额曲线特征更宽的底部端子可实现更高的功率能力（短侧端子）与现有的相同尺寸电阻器相比，功率处理

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0402 / 0603 / 0805汽车级大功率薄膜贴片电阻器 - ARTP..A 系列文件下载特征工作温度高达 175℃ 1000 小时0805 尺寸的额定功耗高达 0.4 WAEC-Q200 合规性卓越的温度

Features特征Tolerance to +0.1 %对+0.1%的公差Low TCRto +10 ppm/℃-Down size to 0201低TCRTO+10 ppm/℃-将大小降至0201-Halogen free and lead free—RoHS compliant-无铅和无铅-符合RoHS标

薄片与薄层电阻技术在薄膜生长过程中的核心作用在现代微电子、光电子及半导体器件制造中，薄膜厚度的精确控制是确保设备性能稳定和良率提升的关

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薄膜厚度对薄层电阻的决定性作用在纳米尺度下，薄膜厚度的变化对薄层电阻具有显著影响。尤其当薄膜厚度小于100 nm时，量子效应、界面散射和晶粒边

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氮化钽(TaN)薄膜片式电阻器是一种采用先进薄膜技术制造的高精度、高稳定性的电子元件。它们在现代电子设备中扮演着至关重要的角色，尤其是在那些