半导体负电阻率温度特性的原理及应用

半导体材料的负电阻率温度特性是一种非常特殊的现象,在某些特定条件下,随着温度的升高,半导体的电阻率反而会下降。这种现象主要发生在某些类型的掺杂半导体中,如高浓度掺杂的硅或锗。在这些材料中,当温度上升时,由于载流子浓度增加的速度超过了晶格散射增加的影响,导致了电阻率呈现出下降的趋势。这一特性在热敏电阻和其他温度敏感器件的设计和应用中具有重要意义。通过对这种特性的深入研究与利用,科学家和工程师们能够开发出更为精确和高效的温度测量与控制系统。
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