NEXPERIA IntelliFET：下一代功率半导体的性能突破

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GaN MOSFET与Si MOSFET核心性能对比随着电力电子系统向高频、高压、高密度方向发展，传统硅基MOSFET（Si MOSFET）逐渐暴露出其物理极限。相比之下，氮化镓（

F-RAM与MRAM融合技术：开启存储新纪元随着物联网、人工智能和边缘计算的迅猛发展，对高性能、低功耗、高可靠性的非易失性存储器（NVM）需求日益增长

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集成功率交付与Arm® Cortex® M0的半桥驱动芯片：构建下一代智能电源系统随着物联网（IoT）、工业4.0和绿色能源的发展，对电源系统的要求已从“能工作

引言：半导体行业双雄的崛起在全球智能化浪潮推动下，半导体产业正以前所未有的速度发展。作为全球领先的半导体企业，NXP恩智浦（NXP Semiconductors）

半导体激光二极管在高功率光纤激光器中的应用挑战与突破尽管半导体激光二极管在光纤激光器中展现出巨大潜力，但在向更高功率方向发展的过程中，

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英飞凌（Infineon）是全球知名的半导体公司，以其高质量的功率半导体产品而闻名。在您提到的IGBT4模块中，FP75R12KT4_B11是英飞凌推出的一款高性能的绝缘

英飞凌（Infineon）是一家全球领先的半导体公司，专注于为汽车、工业、通信和消费电子市场提供先进的芯片解决方案。在功率半导体领域，英飞凌的IGB

BSM25GD120DN2E3224 IGBT模块是一种高性能的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域，特别是在高功率、高频率的转换应用中。这种模块以其高效率、高可

三菱电机是全球知名的电子和电气设备制造商，其中IGBT（绝缘栅双极晶体管）是其产品线中的重要组成部分。IGBT是一种功率半导体器件，广泛应用于工