产品 | 型号 | 参数 |
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电阻温度检测器 | PTS1206M1B1K00P100 | 电阻:1K Ohms 偏差:±0.30% 电流:250µA 热敏电阻类型:RTD 温度:-55°C ~ 175°C 输出类型:Analog 配置:Local 准确性:-0.58Cto+1.18C 封装/外壳:1206 系列:PTSAT 工作温度:-55°C ~ 175°C 温度系数:±3850ppm/°C |
电阻温度检测器 | PTS080501B500RP100 | 电阻:500 Ohms 热敏电阻类型:RTD 偏差:±0.30% 封装/外壳:0805 温度系数:±3850ppm/°C |
电阻温度检测器 | PTS080501B500RP100 | 电阻:500 Ohms 热敏电阻类型:RTD 偏差:±0.30% 封装/外壳:0805 温度系数:±3850ppm/°C |
电阻温度检测器 | PTS080501B500RP100 | 电阻:500 Ohms 热敏电阻类型:RTD 偏差:±0.30% 封装/外壳:0805 温度系数:±3850ppm/°C |
电容触摸传感器 | BU22210MUV-E2 | |
电容触摸传感器 | BU21170MUV-E2 | FET类型:电容传感器控制器 接口:串行 电流 - 电源:3.5mA 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VFQFN裸露焊盘 |
电容触摸传感器 | BU21078FV-E2 | FET类型:电容传感器控制器 接口:串行 电流 - 电源:3.5mA 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP |
电容触摸传感器 | BU21027MUV-E2 | |
电容触摸传感器 | BU21078MUV-E2 | FET类型:电容传感器控制器 接口:串行 电流 - 电源:3.5mA 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:28-VFQFN裸露焊盘 |
电容触摸传感器 | BU21077MUV-E2 | FET类型:电容式开关控制器 接口:2 线串口 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VFQFN裸露焊盘 |
电容触摸传感器 | BU21079F-E2 | FET类型:电容传感器控制器 接口:串行 电流 - 电源:2.5mA 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC |
电容触摸传感器 | BU21072MUV-E2 | FET类型:电容传感器控制器 接口:串行 电流 - 电源:3.5mA 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:24-VFQFN裸露焊盘 |
电容触摸传感器 | BU21170MUV-E2 | FET类型:电容传感器控制器 接口:串行 电流 - 电源:3.5mA 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VFQFN裸露焊盘 |
电容触摸传感器 | BU21078FV-E2 | FET类型:电容传感器控制器 接口:串行 电流 - 电源:3.5mA 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP |
电容触摸传感器 | BU21077MUV-E2 | FET类型:电容式开关控制器 接口:2 线串口 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VFQFN裸露焊盘 |
电阻温度检测器 | PTS1206M1B1K00P100 | 电阻:1K Ohms 偏差:±0.30% 电流:250µA 热敏电阻类型:RTD 温度:-55°C ~ 175°C 输出类型:Analog 配置:Local 准确性:-0.58Cto+1.18C 封装/外壳:1206 系列:PTSAT 工作温度:-55°C ~ 175°C 温度系数:±3850ppm/°C |
电阻温度检测器 | PTS080501B500RP100 | 电阻:500 Ohms 热敏电阻类型:RTD 偏差:±0.30% 封装/外壳:0805 温度系数:±3850ppm/°C |
电阻温度检测器 | PTS080502B100RP100 | 电阻:100 Ohms 封装/外壳:0805 温度系数:+3850ppm/°C |
电阻温度检测器 | PTS1206M1B1K00P100 | 电阻:1K Ohms 偏差:±0.30% 电流:250µA 热敏电阻类型:RTD 温度:-55°C ~ 175°C 输出类型:Analog 配置:Local 准确性:-0.58Cto+1.18C 封装/外壳:1206 系列:PTSAT 工作温度:-55°C ~ 175°C 温度系数:±3850ppm/°C |
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