晶圆级封装

晶圆级封装技术源于倒装芯片。晶圆级封装开发主要由集成器件制造商（IBM）发起。
1964年，IBM在美国首次在其M360计算器中使用FCOB焊料凸点倒装芯片器件。 1969年，Delco在汽车中使用焊料凸点装置。
在20世纪70年代，日本公司如NEC和日立公司开始在一些计算器和超级计算器中使用FCOB设备。在20世纪90年代，世界上建立了制造公司，如Kulicke和Soffa的Flip Chip Division，Unitive，Fujitsu Tohoku Electronics，IC Interconnect等。
这些公司的基本技术是电镀和焊膏工艺。 。
这些公司使用凸点技术和薄膜再分配技术开发了晶圆级封装技术。 FCD和富士通的Super CSP（Ultra CSP和Supper CSP）是首批进入市场的晶圆级封装产品。
1999年，晶圆凸点制造公司开始向主要包装制造商发放技术许可证。通过这种方式，倒装芯片和晶圆级封装正在全球范围内逐步推广。
例如，台湾的ASE和Siliconware公司以及韩国的Amkor根据FCD的技术许可制造超级CSP。提供具有正面和背面的晶片。
接下来，在晶片的正面上形成多个凹槽。在每个凹槽的表面上形成绝缘层。
然后，在每个凹槽的绝缘层上和晶片的前表面的一部分上形成导电层。然后在每个凹槽的导电层上形成焊料层。
此后，在晶片的前表面上形成第一衬底。接下来，在晶片的后表面处形成多个孔，并且孔的位置对应于凹槽的位置，并且每个孔暴露出焊料层。
然后，在晶片的后表面上形成第二衬底，并且第二衬底具有多个导电柱，并且导电柱相应地放置在晶片的孔中以与焊料层连接。此后，在第二基板上形成多个导电结构。
总的来说，WLP的主要应用是模拟IC，PA / RF（移动电话放大器和前端模块）和CIS（CMOS图像传感器）。需求主要来自便携式产品。
（iPod，iPhone）对轻薄功能的需求，以及一些NOR闪存/ SRAM也可用于WLP封装。此外，基于电气性能考虑，DDR III被认为是WLP或FC封装，但JEDEC仍然没有最终规格（注：到目前为止，Hynix，三星和Elpida已发布DDR III产品仍然使用FBGA封装），适用于SiP应用这是一个长期的发展目标。
此外，在塑料封装类型（例如PBGA）中，MEMS组件也主要是WLP封装，因为它们的模塑化合物会损坏MEMS组件和光学传感器的可移动部件。随着任天堂Wii和APPLE iPhone和iPod Touch以及其他新兴消费电子产品使用MEMS组件（如加速度计和陀螺仪）的加速，它们成为WLP封装的增长动能来源。
使用无铅和细间距凸点的晶圆级封装（WLP）占全球WLP市场需求的一小部分。尽管根据国际半导体技术蓝图（ITRS）预测：到2009年，凸块之间的间距（从相邻凸块的中心到中心的距离）为100mm。
然而，对于大规模生产的凸块制造商而言，目前市场对间距＆lt; 100mm凸起的需求非常低。例如，焊料凸点的领导者IBM仍然在许多产品中使用具有220mm间距的C4凸点技术。
对于细间距互连，一个小但快速增长的应用领域是高密度像素探测器阵列。与此同时，许多市场和实际应用对无铅焊料的需求也在迅速增长。
大量汽车电子和移动电话的OEM供应商发现，客户对无铅产品的需求持续增长。