真空传感器
腔体未密封,腔体内的气体与外部空气连通。电容器的两个极板之间的距离可以通过硅晶片的蚀刻深度来控制,并且硅膜片和玻璃电极之间的间隙很小,这也是硅电容传感器的高灵敏度的原因。
。真空度是指低于大气压的气体的稀薄程度,真空度通常用压力表示。
高压意味着真空度低,低压意味着真空度高。由于真空传感器上方的空腔是真空室,因此作为传感器敏感元件的硅膜片将在大气压力下在压力下向上凸起。
当真空传感器下方的腔体中的真空度不同时,硅膜片的膨胀程度不同,并且硅膜片向上凸起以改变电容器的两个板之间的距离。根据面板电容器的公式,电容也是真空度的出现对应于电容值,并且电容值随着真空度的变化而变化。
由于电容值与真空度之间的关系,电容值的变化由测量电路转换成电压或频率信号,并且通过检测电压或频率信号可以获得相应的真空度。 1.测量范围1×10-4~1000 Torr,1×10-4~1333 mbar,1×10-2Pa~133kPa 2.分辨率1×10-4 Torr,1×10-4 mbar,1×10 -2Pa 3.工作温度0~50°C 4.烘烤温度150°C(仅适用于工作台,电子元件拆卸)5。
工作湿度0~95%RH,无冷凝6.安装方向等级(推荐)7 。接液材料镀金钨,304和316不锈钢,玻璃,镍,特氟龙8.内部容积26cm3(1.589in3)9。
内表面积59.7cm2(9.25in2)10。泄漏率<1×10-9atm cc / sec He 11重量为85g(3oz)的真空传感器的特征在于硅尖阵列发射阴极,金属阳极,玻璃基板,发射腔和电极引线,玻璃基板上的金属阳极溅射和硅尖端阵列发射阴极蚀刻。
在硅晶片上,用硅尖阵列发射阴极蚀刻的硅晶片与溅射有金属阳极的玻璃衬底键合以形成发射腔,并且一对电极引线分别连接到硅尖阵列发射阴极和金属阳极。电极引线硅阳极金属和外部电源引线。
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