光能改变半导体电阻的原因

光能改变半导体电阻的现象主要归因于光生伏特效应与光激励载流子效应。当光线照射到半导体材料上时,光子的能量可以被半导体中的电子吸收,使电子从价带跃迁到导带,从而产生电子-空穴对。这个过程增加了半导体中的自由载流子数量,即自由电子和空穴的数量增加,进而降低了半导体的电阻。此外,在某些情况下,光照还可以通过改变半导体内部的电势分布来影响其电阻特性。例如,在一些特定类型的半导体中,光照可以导致局部电荷分离,从而影响电子和空穴的复合率,进一步调控半导体的导电性能。因此,通过控制入射光的强度、波长等参数,可以有效调节半导体的电阻值,这一特性在光电传感器、太阳能电池等领域有着广泛的应用。
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