陶瓷介质电容器
I型(CC型)的特点是体积小,损耗低,电容频率和温度稳定性高,常用于高频电路。 II型(CT型)的特点是体积小,损耗大,电容温度低,稳定性好,常用于低频电路。
根据“GJB192A陶瓷电容器通用规范”,陶瓷介电电容器技术的工艺应包括但不限于以下步骤:原材料配料和混合b介电片制造层压和印刷电极层压和切割e芯片烧结f端电极涂层g封装CT1型圆形陶瓷低频电容器环境温度:-25-85℃相对湿度:+ 40C工作电压96%50V电容范围和容差:101-472(+ -10%)472 -403(+ 80--- 20%)CC01圆形陶瓷电容器:环境温度:-25-85℃相对湿度:+ 40℃时96%大气压750 + -30mmhg允许偏差:5p(+ -0.5p 6-10p( + -1P)10p或更多(J,K,M)温度系数:1 - 4P +120(+ -60)PPM 4 - 56P C47(+ -60)PPM 56 - 180P C750(+ -250)PPM 180- 390P C1300(+ - 250)PPM 430-820P C3300(+ - 500)PPM CT01圆形陶瓷电容器:环境温度:-25-85℃相对湿度:+ 40℃时96%常压750±30mmhg损失“0.05绝缘电阻:1000mohm公差:+ 80-20%容量:1000-47000p工作电压:63v测试电压:200v。
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